FDB3632_SB82115 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDB3632_SB82115

FDB3632_SB82115

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	FDB3632_SB82115
LIXINC Part #	FDB3632_SB82115
الصانع	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	FDB3632_SB82115 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Jun 14 - Jun 18 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

FDB3632_SB82115 تحديد

رقم القطعة:	FDB3632_SB82115
ماركة:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
مسلسل:	PowerTrench®
طَرد:	Bulk
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	100 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	12A (Ta), 80A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	6V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	9mOhm @ 80A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	6000 pF @ 25 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	310W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	D²PAK (TO-263AB)
حزمة / حالة:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015