FDN5618P_G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDN5618P_G

FDN5618P_G

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	FDN5618P_G
LIXINC Part #	FDN5618P_G
الصانع	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	FDN5618P_G بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Jun 15 - Jun 19 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

FDN5618P_G تحديد

رقم القطعة:	FDN5618P_G
ماركة:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
مسلسل:	PowerTrench®
طَرد:	Bulk
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	60 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	1.25A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	170mOhm @ 1.25A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	3V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	13.8 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	430 pF @ 30 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	SuperSOT-3
حزمة / حالة:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015