TPN4R712MD,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN4R712MD,L1Q

TPN4R712MD,L1Q

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	TPN4R712MD,L1Q
LIXINC Part #	TPN4R712MD,L1Q
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	TPN4R712MD,L1Q بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	May 22 - May 26 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

TPN4R712MD,L1Q تحديد

رقم القطعة:	TPN4R712MD,L1Q
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	U-MOSVI
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	20 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	36A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id، vgs:	4.7mOhm @ 18A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	1.2V @ 1mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	65 nC @ 5 V
vgs (ماكس):	±12V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	4300 pF @ 10 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
حزمة / حالة:	8-PowerVDFN

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.80000	$0.8
5000	$0.28000	$1400

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015