BSO615NGHUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSO615NGHUMA1 | BSO615NGHUMA1 Inventory, Best Pricing

BSO615NGHUMA1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	BSO615NGHUMA1
LIXINC Part #	BSO615NGHUMA1
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - المصفوفات
وصف	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	BSO615NGHUMA1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	May 21 - May 25 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

BSO615NGHUMA1 تحديد

رقم القطعة:	BSO615NGHUMA1
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - المصفوفات
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	SIPMOS®
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	2 N-Channel (Dual)
ميزة فيت:	Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	60V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	2.6A
rds on (max) @ id، vgs:	150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	2V @ 20µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	20nC @ 10V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	380pF @ 25V
أقصى القوة:	2W
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة / حالة:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد:	PG-DSO-8

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015