NVMFD5C650NLT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	NVMFD5C650NLT1G
LIXINC Part #	NVMFD5C650NLT1G
الصانع	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - المصفوفات
وصف	MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	NVMFD5C650NLT1G بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	May 21 - May 25 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

NVMFD5C650NLT1G تحديد

رقم القطعة:	NVMFD5C650NLT1G
ماركة:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - المصفوفات
الصانع:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
مسلسل:	Automotive, AEC-Q101
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	2 N-Channel (Dual)
ميزة فيت:	Standard
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	60V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	21A (Ta), 111A (Tc)
rds on (max) @ id، vgs:	4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.2V @ 98µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 4.5V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	2546pF @ 25V
أقصى القوة:	3.5W (Ta), 125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة / حالة:	8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015